致真存储

AI市场洞察

企业基础信息「核心速览」

公司身份

• 全称：致真存储（北京）科技有限公司（简称：致真存储）
• 成立时间：2019年7月10日，所在地：北京市
• 注册资本：551.11万元，统一社会信用代码：91110108MA01LBE01R
• 法定代表人：曹凯华
• 经营范围：技术服务、技术开发、技术咨询、技术转让、技术推广；集成电路设计；软件开发；人工智能应用软件开发；专业设计服务；销售电子产品；电力电子元器件制造；企业管理；企业管理咨询；货物进出口、技术进出口等。

业务根基

• 所属行业：芯片半导体
• 核心业务：新一代磁性随机存储器（MRAM）芯片的研发、设计与制造，致力于成为国产磁存储芯片领军企业。

资本轨迹

• 累计披露融资金额：3000.00万元，融资次数：3次
• 最近一轮融资：Pre-A轮，金额：数千万人民币，日期：2023-07-26

融资动态「时间轴梳理」

融资事件日历（最新→早期）

• 最新融资：Pre-A轮，金额：数千万人民币，投资方：俱成资本、中国互联网投资基金、京鹏投资、方信资本；日期：2023年7月26日
• 早期融资：天使+轮，金额：未披露，投资方：中电海康；日期：2022年3月16日
• 早期融资：天使轮，金额：未披露，投资方：中科创星、普华资本；日期：2020年12月22日

资金用途

• 最新融资：主要用于加强研发团队建设和设备采购，提升产品研发能力，加速MRAM芯片研发和生产线建设落地。

创始人&团队「背景透视」

核心创始人

• 核心创始人：未披露（法定代表人：曹凯华）
• 关键成员：CEO王戈飞（据公开新闻提及）

团队能力

• 团队规模：超80人
• 研发团队在自旋存储芯片领域深耕近十年，具备覆盖底层机理、材料研究、电路设计、制造工艺及前沿科学探究的全方位研发能力。
• 拥有核心专利80余项，参与国家重点研发计划等多个国家级项目。

团队互补性

• 团队以研发驱动为核心，覆盖芯片设计、制造等关键环节，具备从技术到产品的完整转化能力。

公司经营「关键指标」

营收与盈利

• 近周期营收：未披露
• 复合增长率：未披露
• 累计亏损/盈利：未披露

客户画像

• 平均单客价值：未披露
• 前5大客户占比：未披露
• 复购率：未披露

收益与竞争力

• 核心收益来源：未披露（尚处研发阶段，未来将主要来源于MRAM芯片产品销售）
• 核心竞争力：自研新一代MRAM芯片采用NAND-SPIN结构，具备高容量、高速读写、低功耗、寿命长等优势；高隧穿磁阻效应垂直隧道结核心指标高于IBM、IMEC等国际机构，拥有中、美授权门槛性专利；已签约青岛西海岸新区，筹划建设8英寸和12英寸产线，一期规划年产能可达2万片。

行业&政策「趋势研判」

行业趋势

• 赛道定位：新一代磁性随机存储器（MRAM）芯片，属于新型存储器赛道。
• 市场空间：据Yole等机构预测，全球新型存储器市场未来五年将以63%的复合增长率增长，2030年市场规模将达到400亿美元（含独立式与嵌入式）。
• 行业阶段：第三代SOT-MRAM技术目前全球均处于研发阶段，尚无成型产品，行业整体处于成长期。

政策支持

• 公司参与国家重点研发计划等多个国家级重点科技项目。
• 地方产业政策：《苏州市加快发展AI芯片产业的若干措施（征求意见稿）》提出对关键核心技术攻关最高1000万元支持，对工程流片验证最高1000万元支持（2025年3月，来源：投资界）；《珠海市促进集成电路产业发展的若干政策措施》对MPW流片费用最高补贴300万元、首轮流片最高500万元（2024年8月，来源：珠海市人民政府办公室）；《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案（2024—2030年）》培育千亿级产业集群（2024年10月，来源：广东省人民政府办公厅）。
• 契合点：上述政策在研发补贴、流片支持、人才引进、金融支撑等方面为芯片企业提供了有利发展环境，与公司MRAM芯片研发和产线建设方向相匹配。

核心信息「一句话提炼」

核心优势

• 掌握MRAM芯片设计、研发及制造关键核心技术，拥有核心技术专利80余项，自研NAND-SPIN结构及高隧穿磁阻效应垂直隧道结，具备全国产化生产制造流程。

关键挑战

• 第三代SOT-MRAM芯片全球尚无成型产品量产，公司产品仍处于研发阶段，面临技术成熟度和市场竞争压力。

未来潜力

• 新型存储器市场预计未来五年以63%复合增长率增长，2030年市场规模将达400亿美元；公司规划8英寸/12英寸产线建设，有望受益于国产替代和集成电路产业政策支持。