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天域半导体

碳化硅外延晶片研发服务商

  • 最新轮次IPO上市
  • 融资金额17.44亿港元
  • 融资时间2025-12-05

企业简要

天域(TYSiC)成立于2009年,是中国第一家从事碳化硅 (SiC) 外延晶片市场营销、研发和制造的民营企业。2010年,天域与中国科学院半导体研究所合作,共同创建了碳化硅研究所,该研究所由该领域最优秀的人才组成。天域是中国第一家碳化硅半导体材料供应链的企业获得汽车质量认证(IATF 16949) 。目前,天域在中国拥有最多的碳化硅外延炉-CVD。 凭着最先进的外延炉设备、外延技术和最先进的测试和表征能力,为全球客户提供 n-型 和 p-型 掺杂外延材料、制作肖特基二极管、JFET、BJT、MOSFET,GTO 和 IGBT等。

工商信息显示,广东天域半导体股份有限公司法定代表人为李锡光, 成立于2009-01-07,注册资本39326.85万人民币, 公司经营状态为存续,所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业, 注册地址位于广东省东莞市松山湖园区工业北一路5号。

数据来源: 公开资料整理

当前轮次涉及机构

公开发行

AI市场洞察

一、企业核心速览

  • 公司身份:广东天域半导体股份有限公司(简称:天域半导体),成立时间2009年01月07日,所在地广东东莞市;工商登记关键信息:注册资本39326.85万元,统一社会信用代码914419006844054388,法定代表人李锡光;经营范围:电子专用材料研发、制造、销售,半导体分立器件制造销售,相关技术进出口及货物进出口业务。
  • 业务根基:所属行业芯片半导体,核心业务为国内领先的碳化硅外延晶片研发服务商,为全球客户提供n型和p型掺杂外延材料,可制作肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件。
  • 资本轨迹:累计融资金额27.00亿元,融资次数5次;最近一轮融资:轮次IPO上市、金额17.44亿港元、日期2025年12月05日。

二、融资动态时间轴梳理

  • 融资事件日历(倒序排列)
    • 2025年12月05日:IPO上市,金额17.44亿港元,投资方为公开发行
    • 2023年02月07日:B轮,金额约12亿人民币,投资方为海富产业基金、粤科鑫泰股权投资基金、南昌产投、嘉元科技、招商资本、乾创投资
    • 2022年09月02日:A+轮,金额未披露,投资方为哈勃投资、尚颀资本、比亚迪、建晟资本、晨道资本等18家机构
    • 2022年06月16日:A轮,金额未披露,投资方为比亚迪、尚颀资本、建晟资本、申能诚毅、晨道资本、超兴创投
    • 2021年07月05日:天使轮,金额未披露,投资方为哈勃投资
  • 资金用途:未提及

三、创始人&团队背景透视

  • 核心创始人:未提及
  • 关键成员:未提及
  • 团队互补性:未披露

四、公司经营关键指标

  • 营收与盈利:近周期营收未披露,复合增长率未披露,累计亏损/盈利未披露
  • 客户画像:平均单客价值未披露,前5大客户占比未披露,复购率未披露
  • 收益与竞争力:核心收益来源为半导体材料销售;核心竞争力为国内首家从事碳化硅外延晶片研发制造的民营企业,是国内首家获得汽车质量认证(IATF 16949)的碳化硅半导体材料供应链企业,目前拥有国内最多的碳化硅外延炉CVD,与中国科学院半导体研究所共建碳化硅研究所,拥有先进的外延技术及测试表征能力。

五、行业&政策趋势研判

  • 行业趋势:赛道定位为第三代半导体(碳化硅)材料赛道,市场空间未披露,行业阶段为成长期
  • 政策支持:已出台政策包括《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案(2024—2030年)》《珠海市促进集成电路产业发展的若干政策措施》;政策契合点:广东重点支持碳化硅等化合物半导体、外延工艺等方向研发,对半导体材料企业的设备投入、技术攻关等给予补贴;珠海对通过IATF 16949等车规级认证的集成电路企业给予专项补贴,天域半导体作为广东本地碳化硅龙头企业,符合省内半导体产业扶持范畴,可享受相关研发、产业化扶持政策。

六、核心信息一句话提炼

  • 核心优势:国内碳化硅外延晶片赛道先发优势显著,拥有技术、产能及车规级认证壁垒,投资方覆盖头部产业资本及地方产投,品牌背书较强。
  • 关键挑战:第三代半导体赛道玩家逐步增多,市场竞争加剧,需持续投入研发及产能建设维持领先地位。
  • 未来潜力:长期受益于功率半导体国产化、新能源汽车产业爆发红利,叠加广东本地半导体产业政策支持,港股上市后产能扩张及技术迭代节奏有望进一步加快。

历史融资

IPO上市轮
2025-12-05
融资金额17.44亿港元
涉及机构
公开发行
B轮
2023-02-07
融资金额约12亿人民币