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北一成立于2017年,是一家专注于半导体功率器件研发的高新技术企业,主打产品为IGBT模组及芯片等系列产品,并在SiC模组研究上取得积极进展。公司推出的IGBT模组产品目前已在头部新能源汽车企业、光伏储能、变频家电及工业控制领域等头部客户批量使用。
工商信息显示,北一半导体科技(广东)有限公司法定代表人为金明星, 成立于2020-12-25,注册资本6031.14万人民币, 公司经营状态为存续,所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业, 注册地址位于深圳市福田区沙头街道天安社区泰然五路12号天安数码城天祥大厦十层B1-B2。
数据来源: 公开资料整理
北一半导体科技(广东)有限公司(简称北一半导体),成立时间2017年(工商登记2020年12月25日),所在地广东深圳市。工商登记关键信息:
业务根基:所属行业芯片半导体(功率半导体器件),核心业务为IGBT模组及芯片、SiC模组的研发与销售,产品已批量应用于头部新能源汽车、光伏储能、变频家电及工业控制领域。
资本轨迹:累计披露融资金额3.45亿元,融资次数3次;最近一轮融资为B+轮,金额1.5亿元,日期2024年5月8日。
融资事件日历(按最新→早期倒序):
核心创始人:金明星,公司创始人兼法定代表人,具备技术背景与市场需求导向理念,带领公司快速进入头部客户供应链。
关键成员:未披露其他核心成员信息。
团队互补性:据投资方评价,团队在技术研发与客户拓展上表现优秀,展现出技术+市场双轮驱动能力。
营收与盈利:未披露具体数据。
客户画像:未披露平均单客价值、前5大客户占比及复购率,但产品已在头部新能源汽车企业、光伏储能等领域头部客户批量使用,客户质量较高。
收益与竞争力:核心收益来源于IGBT模组及芯片销售;核心竞争力体现为IGBT模组产品已实现头部客户批量使用,SiC模组研发取得进展,具备与国际头部企业合作能力,但未披露具体专利数量或市占率。
行业趋势:功率半导体行业处于国产替代加速期,新能源汽车、光伏储能等下游需求旺盛,SiC器件市场快速增长。
政策支持:
核心优势:产品已批量进入头部新能源车企及光伏储能客户,SiC技术研发取得进展,获得多轮资本支持。
关键挑战:功率半导体市场竞争激烈,产能扩张和SiC技术商业化需持续投入。
未来潜力:受益于新能源汽车、光伏储能等下游需求增长及国产替代政策红利,SiC模组有望成为新增长点。