芯创德

AI市场洞察

企业基础信息「核心速览」

核心速览

• 公司身份：杭州芯创德半导体有限公司，成立时间2025-09-08，所在地杭州市余杭区，注册资本126.17万元，统一社会信用代码91330110MAEU5NBE47，法定代表人刘少煜；经营范围：集成电路芯片及产品销售、半导体分立器件制造与销售等。
• 业务根基：所属行业芯片半导体，核心业务为超宽禁带半导体（氧化镓）功率器件研发与产业化，产品包括1200V-10kV高压氧化镓肖特基二极管、氧化镓MOSFET功率器件。来源：第三代半导体产业技术创新战略联盟官网，发布日期：2026-06-04
• 资本轨迹：累计融资次数1次，最近一轮为天使轮，金额未披露，日期2025-12-19，投资方毅岭资本。

融资动态「时间轴梳理」

融资动态时间轴

• 最新融资：天使轮，金额未披露，投资方毅岭资本，日期2025-12-19。
• 早期融资：无。
• 资金用途：未披露。

创始人&团队「背景透视」

团队透视

• 核心创始人：刘少煜，担任法定代表人、董事长、总经理，持股42.4%，曾出席CSPSD2026并作氧化镓功率器件商业化报告，具备技术研发与产业整合背景。来源：爱企查，发布日期：2026-08-28；第三代半导体产业技术创新战略联盟官网，发布日期：2026-06-04
• 关键成员：未提及。
• 团队互补性：未披露。

公司经营「关键指标」

经营指标

• 营收与盈利：未披露。
• 客户画像：未披露。
• 收益与竞争力：核心收益来源为氧化镓功率器件产品销售；核心竞争力：已建成氧化镓功率器件中试线，实现6英寸氧化镓衬底小批量试生产，1200V肖特基二极管样品送样头部客户验证，静态损耗较同规格碳化硅器件降低15%以上。来源：第三代半导体产业技术创新战略联盟官网，发布日期：2026-06-04

行业&政策「趋势研判」

行业与政策趋势

• 行业趋势：赛道定位超宽禁带半导体（氧化镓）功率器件，应用于新型电力电子领域，行业处于早期成长阶段。
• 政策支持：广东省《加快推动光芯片产业创新发展行动方案（2024—2030年）》明确将氧化镓薄膜列入关键材料研发攻关方向，支持中试平台建设与成果转化。来源：广东省人民政府办公厅，发布日期：2024-10-22
• 战略匹配度：公司产品与技术方向契合国家及地方对第三代半导体、光芯片产业的政策扶持，具备获得研发补贴、产业化支持等政策红利潜力。

核心信息「一句话提炼」

一句话提炼

• 核心优势：超宽禁带半导体氧化镓技术领先，已建成中试线并实现样品送样头部客户，静态损耗较碳化硅降低15%以上。
• 关键挑战：公司成立时间短（2025年），尚处天使轮早期阶段，融资规模未披露，面临市场竞争及产业化推进不确定性。
• 未来潜力：长期受益于国家第三代半导体和光芯片产业政策支持，以及新能源、电力电子等下游需求增长，有望在高压功率器件领域实现突破。